場(chǎng)效應(yīng)管和mos管區(qū)別

場(chǎng)效應(yīng)管和mos管區(qū)別主要體現(xiàn)在：主體不同、特性不同和規(guī)則不同。

主體不同

場(chǎng)效應(yīng)管：V型槽MOS場(chǎng)效應(yīng)管 。是繼MOSFET之后新發(fā)展起來(lái)的高效 、功率開(kāi)關(guān)器件
。

MOS管：金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管屬于絕緣柵型。

特性不同

場(chǎng)效應(yīng)管：不僅繼承了MOS場(chǎng)效應(yīng)管輸入阻抗高（≥108W）
、驅(qū)動(dòng)電流?。ㄗ笥?.1μA左右），還具有耐壓高（最高可耐壓1200V）、工作電流大（1.5a～100A） 、輸出功率高（1～250W）
、跨導(dǎo)的線性好、開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)良特性 。

MOS管：主要特點(diǎn)是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層 ，因此具有很高的輸入電阻（最高可達(dá)1015Ω）
。

規(guī)則不同

場(chǎng)效應(yīng)管：將電子管與功率晶體管之優(yōu)點(diǎn)集于一身
，因此在電壓放大器（電壓放大倍數(shù)可達(dá)數(shù)千倍） 、功率放大器、開(kāi)關(guān)電源和逆變器中正獲得廣泛應(yīng)用。

MOS管：當(dāng)VAH =0時(shí)管子是呈截止?fàn)顟B(tài)，加上正確的VAH 后 ，多數(shù)載流子被吸引到柵極
，從而“增強(qiáng) ”了該區(qū)域的載流子，形成導(dǎo)電溝道 。

請(qǐng)教mos管 作用

MOS管作用mos管場(chǎng)效應(yīng)管：用途廣泛 ，包括電視機(jī)高頻頭（高頻，小電流）到開(kāi)關(guān)電源（高壓大電流）
，現(xiàn)在把MOS和雙極型（普通三極管）復(fù)合在一起（IGBT，絕緣柵雙極型晶體管） ，廣泛應(yīng)用于大功率領(lǐng)域。

在計(jì)算機(jī)領(lǐng)域
，CMOS指保存計(jì)算機(jī)基本啟動(dòng)信息（如日期
、時(shí)間、啟動(dòng)設(shè)置等）mos管場(chǎng)效應(yīng)管的芯片
。人們會(huì)把CMOS和BIOS混稱，其實(shí)CMOS是主板上的一塊可讀寫(xiě)的并行或串行FLASH芯片 ，是用來(lái)保存BIOS的硬件配置和用戶對(duì)某些參數(shù)的設(shè)定。

MOS場(chǎng)效應(yīng)管也被稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET) 。它一般有耗盡型和增強(qiáng)型兩種
。增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管可分為NPN型PNP型。NPN型通常稱為N溝道型
，PNP型也叫P溝道型 。

擴(kuò)展資料：

當(dāng)CMOS被使用來(lái)作數(shù)字影像器材的感光元件使用，稱有源像素感測(cè)器（Active Pixel Sensor） ， 例如高分辨率數(shù)字?jǐn)z影機(jī)與數(shù)碼相機(jī)
，尤其是片幅規(guī)格較大的數(shù)碼單反相機(jī)更常見(jiàn)到CMOS的應(yīng)用
。

另外消費(fèi)型數(shù)碼相機(jī)及附有照相功能的手機(jī)亦開(kāi)始使用堆疊式有源像素感測(cè)器（Stacked CMOS，也有人譯為積層式有源像素感測(cè)器或堆棧式有源像素感測(cè)器） 或背面照射式有源像素感測(cè)器(BSI CMOS) ，使成像質(zhì)量得以提升。 跟傳統(tǒng)的電荷耦合元件(CCD)相比
，由于CMOS每粒像素都設(shè)有放大器，所以數(shù)據(jù)傳輸速度很高 。

雖然在用途上與過(guò)去CMOS電路主要作為固件或計(jì)算工具的用途非常不同 ， 但基本上它仍然是采取CMOS的工藝，只是將純粹邏輯運(yùn)算的功能轉(zhuǎn)變成接收外界光線后轉(zhuǎn)化為電能
，再透過(guò)芯片上的數(shù)字─模擬轉(zhuǎn)換器（ADC）將獲得的影像信號(hào)轉(zhuǎn)變?yōu)閿?shù)字信號(hào)輸出
。

參考資料來(lái)源：百度百科——場(chǎng)效應(yīng)管

參考資料來(lái)源：百度百科——mos管

參考資料來(lái)源：百度百科——CMOS

mos管的作用

mos管的作用：可應(yīng)用于放大電路。由于MOS管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小 ，不必使用電解電容器 。很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換
。常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換。可以用作可變電阻 。可以方便地用作恒流源。可以用作電子開(kāi)關(guān)
。

MOS管為壓控元件
，只要加到它的壓控元件所需電壓就能使它導(dǎo)通，它的導(dǎo)通就像三極管在飽和狀態(tài)一樣 ，導(dǎo)通結(jié)的壓降最小
，常說(shuō)的精典是開(kāi)關(guān)作用。去掉這個(gè)控制電壓經(jīng)就截止 。

MOS管即金屬氧化物半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管，屬于場(chǎng)效應(yīng)晶體管中的絕緣柵型
。因此 ，MOS管有時(shí)被稱為場(chǎng)效應(yīng)管。在一般電子電路中
，MOS管通常被用于放大電路或開(kāi)關(guān)電路 。

MOS管的特性

開(kāi)關(guān)特性
。MOS管是壓控器件，作為開(kāi)關(guān)時(shí) ，NMOS只要滿足VgsVgs(th)即可導(dǎo)通
，PMOS只要滿足Vgs。

開(kāi)關(guān)損耗 。MOS的損耗主要包括開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗，導(dǎo)通損耗是由于導(dǎo)通后存在導(dǎo)通電阻而產(chǎn)生的 ，導(dǎo)通電阻都很小
。開(kāi)關(guān)損耗是在MOS由可變電阻區(qū)進(jìn)入夾斷區(qū)的過(guò)程中，MOS處于恒流區(qū)時(shí)所產(chǎn)生的損耗。開(kāi)關(guān)損耗遠(yuǎn)大于導(dǎo)通損耗 。減小損耗通常有兩個(gè)方法
，一是縮短開(kāi)關(guān)時(shí)間，二是降低開(kāi)關(guān)頻率
。

由壓控所導(dǎo)致的的開(kāi)關(guān)特性。由于制作工藝的限制 ，NMOS的使用場(chǎng)景要遠(yuǎn)比PMOS廣泛
，因此在將更適合于高端驅(qū)動(dòng)的PMOS替換成NMOS時(shí)便出現(xiàn)了問(wèn)題 。

在寬電壓的應(yīng)用場(chǎng)景中，柵極的控制電壓很多時(shí)候是不確定的 ，為了保證MOS管的安全工作
，很多MOS管內(nèi)置了穩(wěn)壓管來(lái)限制柵極的控制電壓。

MOS管是什么？

MOS管一般又叫場(chǎng)效應(yīng)管，與二極管和三極管不同 ，二極管只能通過(guò)正向電流
，反向截止，不能控制 ，三極管通俗講就是小電流放大成受控的大電流
，MOS管是小電壓控制電流的
。

MOS管的輸入電阻極大，兆歐級(jí)的 ，容易驅(qū)動(dòng)，但是價(jià)格比三極管要高
，一般適用于需要小電壓控制大電流的情況，電磁爐里一般就是用的20A或者25A的場(chǎng)效應(yīng)管。

拓展資料：

MOS電容的特性能被用來(lái)形成MOS管 。Gate ，電介質(zhì)和backgate保持原樣
。在GATE的兩邊是兩個(gè)額外的選擇性摻雜的區(qū)域。其中一個(gè)稱為source
，另一個(gè)稱為drain 。假設(shè)source 和backgate都接地，drain接正電壓
。

根據(jù)客戶要求的不同 ，我司有針對(duì)mos管場(chǎng)效應(yīng)管產(chǎn)品多種技術(shù)處理方案
，技術(shù)資料也有所不同，所以不能直接呈現(xiàn) ，有需求的客戶請(qǐng)與聯(lián)系我們洽淡13715099949/聯(lián)系13715099949/13247610001
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